● 應用領域:用于GaAs、CdTe等多種化合物材料的多晶合成工藝。
● 技術指標: ·爐體結構:水平/立式 ·爐體類型:常壓/高壓 ·爐膛尺寸:120mm ·高溫爐體長度:900mm ·低溫爐體長度:750mm ·設備尺寸:2000mm*500mm*1700mm ·適用尺寸:2—6寸及其他規格(可定制 ·電源功率:35KW ·輸出電壓:12V~14V ·三相電源:380V~±10% 50±2Hz ·電源精度:0.05% ·控制方式:微控(溫控器對高低溫雙爐體分別進行高精度控溫,過程安全穩定) ·冷卻介質:城市用水 ·進水壓力:0.2Mpa ·進水溫度:≤25℃ ·加熱區數:一般為9段控溫 ·極限使用溫度:1280℃ ·溫度顯示精度:0.1℃ ·溫度控制精度:優于±0.2℃ ·高溫爐體長期工作溫度:1250℃ ·低溫爐體長期工作溫度:750℃ |