● 應用領域：用于GaAs、CdTe等多種化合物材料的多晶合成工藝。

● 技術指標：
·爐體結構：水平/立式
·爐體類型：常壓/高壓
·爐膛尺寸：120mm
·高溫爐體長度：900mm
·低溫爐體長度：750mm
·設備尺寸：2000mm*500mm*1700mm
·適用尺寸：2—6寸及其他規格（可定制
·電源功率：35KW
·輸出電壓：12V~14V
·三相電源：380V~±10% 50±2Hz
·電源精度：0.05%
·控制方式：微控（溫控器對高低溫雙爐體分別進行高精度控溫，過程安全穩定）
·冷卻介質：城市用水
·進水壓力：0.2Mpa
·進水溫度：≤25℃
·加熱區數：一般為9段控溫
·極限使用溫度：1280℃
·溫度顯示精度：0.1℃
·溫度控制精度：優于±0.2℃
·高溫爐體長期工作溫度：1250℃
·低溫爐體長期工作溫度：750℃