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       晶體設備 >> 多晶合成爐
       
       

      ● 應用領域:用于GaAs、CdTe等多種化合物材料的多晶合成工藝。

      ● 技術指標:
      ·爐體結構:水平/立式
      ·爐體類型:常壓/高壓
      ·爐膛尺寸:120mm
      ·高溫爐體長度:900mm
      ·低溫爐體長度:750mm
      ·設備尺寸:2000mm*500mm*1700mm
      ·適用尺寸:2—6寸及其他規格(可定制
      ·電源功率:35KW
      ·輸出電壓:12V~14V
      ·三相電源:380V~±10% 50±2Hz
      ·電源精度:0.05%
      ·控制方式:微控(溫控器對高低溫雙爐體分別進行高精度控溫,過程安全穩定)
      ·冷卻介質:城市用水
      ·進水壓力:0.2Mpa
      ·進水溫度:≤25℃
      ·加熱區數:一般為9段控溫
      ·極限使用溫度:1280℃
      ·溫度顯示精度:0.1℃
      ·溫度控制精度:優于±0.2℃
      ·高溫爐體長期工作溫度:1250℃
      ·低溫爐體長期工作溫度:750℃

    1. ● 上一個產品: 真空封焊爐
    2. ● 下一個產品: VGF/VB單晶爐
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